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IGBT门极电阻对其损耗的影响?

归档日期:06-20       文本归类:电阻损耗      文章编辑:爱尚语录

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  展开全部IGBT是场效应管和大功率晶体管的复合,所以门极与另外两极之间电阻很大。

  门极电容导致开通时间和关断时间较长,所以处于放大区的时间较长,导致耗散功率较大。

  要减少耗散功率,就要尽可能提高开关速度,现在的驱动电路都具有这个功能。要减少耗散功率就要尽可能提高开关速度,问题是开关速度太快了也会导致过高的didt,从而导致IGBT的损害,门极开通电阻和关断电阻的大小对didt的影响分别是怎样的?门极电容会影响开通和关断时间,但也可以抑制门极干扰对吗?这些都应该怎么权衡呢?谢谢!

  展开全部首先绝缘栅器件(IGBT、MOSFET)的栅射(或栅源)极之间是容性结构,栅极回路的寄生电感又是不可避免的,如果没有栅极电阻,那栅极回路在驱动器驱动脉冲的激励下要产生很强的振荡,因此必须串联一个电阻加以迅速衰减。

  再回到问题:栅极电阻小,开关器件通断快,开关损耗小;反之则慢,同时开关损耗大。但驱动速度过快将使开关器件的电压和电流变化率大大提高,从而产生较大的干扰,严重的将使整个装置无法工作,因此必须统筹兼顾。

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