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东芝推出适用于移动设备中负载开关的业界领先低导通电阻N沟道MOS

归档日期:05-05       文本归类:电阻负载      文章编辑:爱尚语录

  公司旗下存储与电子元器件解决方案公司今日宣布推出适用于智能手机和平板电脑等移动设备中的负载开关的N沟道

  新产品系列包括30V“SSM6K513NU”和40V“SSM6K514NU”。这些新MOSFET利用东芝最先进的“U-MOS IX-H系列”沟道工艺,实现了业界领先的低导通电阻:“SSM6K513NU”:6.5mOhm以及“SSM6K514NU”:8.9mOhm。这样,与东芝现有产品相比,这些新产品能够将开通损耗造成的散热降低约40%。

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